特許
J-GLOBAL ID:200903052977398962

超伝導量子干渉素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-128547
公開番号(公開出願番号):特開平5-323003
出願日: 1992年05月21日
公開日(公表日): 1993年12月07日
要約:
【要約】【目的】SQUID上に薄膜プロセス技術を用いてダンピング抵抗をSQUIDチップ程度の大きさにして形成してSQUIDを安定に動作させる。【構成】SQUIDは超伝導リング4の上にn回巻の入力コイル1が設けられ、入力コイルの外側には帰還変調コイル6が形成され。超伝導リングにはジョセフソン接合5が形成され、ダンピング抵抗2がSQUIDの入力コイル1に並列に接続され、入力コイル1の巻線の線間上に形成される。ダンピング抵抗は薄膜プロセス技術を用い、モリブデン(Mo)または金(Au)によって形成する。【効果】ダンピング抵抗を入力コイルに並列に接続することでSQUID内の共振を抑えることができる。
請求項(抜粋):
入力コイル、この入力コイルと磁気結合している超伝導リング、この超伝導リングと磁気結合している帰還コイル、及び前記超伝導リングにジョセフソン接合が構成されたSQUID(超伝導量子干渉素子)において、前記入力コイルの前記超伝導リングの外側に配置された部分の線間に抵抗体が前記入力コイルと並列に接続して形成されたことを特徴とするSQUID(超伝導量子干渉素子)。
IPC (3件):
G01R 33/032 ZAA ,  A61B 5/05 ,  H01L 39/22 ZAA

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