特許

J-GLOBAL ID：200903052977974297

半導体装置

発明者： 山田 和浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323036
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150753
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】パワーデバイス等の半導体素子から発生する熱によるストレスが加わった場合においても、モールド樹脂とリードフレームとの密着性を保ち、ペレットとリードフレームの接続部に加わる応力を緩和し、高い信頼性を保持することができる半導体装置の提供。【解決手段】半導体素子等のペレット(図1の2)をリードフレーム(図1の1)に搭載、接続し、モールド樹脂で被覆するモールド成形のパワーデバイス半導体装置において、リードフレーム上面のペレット搭載領域周辺に、外側上方に向かって放射状に突出する楔状の突起(図1の4)を複数設け、モールド樹脂の収縮に際し、モールド樹脂が楔状の突起に食い込むことによってペレットをリードフレーム側に押圧し、強固にペレットとリードフレームを接続する。

請求項（抜粋）：

半導体素子等のペレットをリードフレームに搭載、接続し、モールド樹脂で被覆するモールド成形のパワーデバイス半導体装置において、前記リードフレームの前記ペレットが載置される領域周辺の上面に、外側上方に向かって突出する楔状の突起を複数設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/48 T ,  H01L 23/28 B

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109DB01 ,  4M109EA02 ,  4M109FA04 ,  4M109GA05