半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236117
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064311
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】簡易な工程により短時間で、表面に凹凸が形成されて電荷蓄積量が多いDRAMメモリセルのキャパシタ下部電極を形成する。【解決手段】アモルファスシリコン膜3上にシリコン窒化膜4を形成してから、550°C以上1100°C以下の温度で熱処理を行う。これにより、シリコン窒化膜4の熱応力がアモルファスシリコン膜3に加えられて、アモルファスシリコン膜3が多結晶シリコン膜3aに変質する同時にこの多結晶シリコン膜3aの表面に多数の空隙5が形成される。これにより、キャパシタ実効表面積が増大する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、しかる後、550°C以上1100°C以下の温度で熱処理を行う工程と、しかる後、前記シリコン窒化膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

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