特許
J-GLOBAL ID：200903052982005103
レジスト残渣物の除去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152268
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程におけるレジスト残渣物の除去処理において、純水洗浄時に生じる配線膜の腐食を防止する。【構成】 有機溶剤、酸アルカリ薬液による洗浄の後、酸素ガスやオゾンガスの酸化剤を混入した純水による洗浄を行い、その後乾燥を行う。【効果】 配線膜の表面に形成されたアルミ酸化膜が配線膜の腐食を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜に、上記絶縁膜の下層の配線膜に至るコンタクトホールを形成する際に生じるレジスト残渣物を除去する方法において、有機溶剤、酸アルカリ薬液による洗浄の後、酸化剤を混入した純水による洗浄を行い、その後乾燥を行うようにしたことを特徴とするレジスト残渣物の除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304 361
