特許

J-GLOBAL ID：200903052988373767

レベルシフタ

発明者： 森谷 友紀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211492
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056363
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】回路間での整合性がとりやすくなり、また、定電流性を改善でき、より安定した論理変換が可能なレベルシフタを実現する。【解決手段】論理変換用トランジスタをNMOSトランジスタNT11により構成し、論理変換用トランジスタのNMOSトランジスタNT11のソースに2段のNMOSトランジスタNT12,NT13を直列接続する。これにより、次段回路の入力トランジスタであるNMOSトランジスタとのトランジスタ特性のばらつきに相関性が生じ、回路間での整合性がとりやすくなり、また、定電流性を改善でき、より安定した論理変換となる。

請求項（抜粋）：

入力電圧レベルを他の電圧レベルに変換するレベルシフタであって、ドレインが電源に接続され、ゲートが入力電圧の供給ラインに接続されたnチャネルの絶縁型電界効果トランジスタからなる論理変換用トランジスタと、上記電源と上記絶縁型電界効果トランジスタのソースとの間に直列に接続され、ドレインとゲートとを接続したダイオード接続してなる複数のnチャネルの絶縁型電界効果トランジスタとを有するレベルシフタ。

IPC (3件)：

H03K 5/02 ,  H03K 19/0185 ,  H03K 19/003

FI (3件)：

H03K 5/02 L ,  H03K 19/003 Z ,  H03K 19/00 101 D