特許
J-GLOBAL ID：200903052988653670
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004106
公開番号（公開出願番号）：WO2000-011486
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年03月02日
要約：
【要約】半導体集積回路全体を複数のブロックに分割し、各ブロック内のCMOS回路と接地点との間にそれぞれテストモード制御信号によって制御されて上記CMOS回路に流れる電流を遮断可能なスイッチ・トランジスタを設けるとともに、各ブロックごとに自己チェック機能を有するリーク電流検出回路を設け、これらのリーク電流検出回路の出力の論理和をとった信号を共通の外部出力端子より出力させるようにした。
請求項（抜粋）：
複数のブロックを含む半導体集積回路であって、上記複数のブロックのそれぞれは、 2つの電源電圧の内の一方の電源電圧が直接供給され、他方の電源電圧は、リーク電流を検出する際に非導通状態にされるトランジスタを介して供給されるMOS回路と、 該MOS回路と上記トランジスタとの接続ノードに接続され、該MOS回路を流れるリーク電流を検出する検出回路と を含むことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (1件)：
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