特許

J-GLOBAL ID：200903052994882967

半導体記憶装置

発明者： 鳥居 和功 ,  武田 英次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259389
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】分極反転よる信頼性低下の問題を回避し、half VDD plate方式を採用することが可能な高誘電率材料を用いた、信頼性の高いDRAMメモリセルを提供する。【構成】固溶体(xBaZrO3・(1-x) PbTiO3)で、BaZrO3が45%以上含まれる固溶体薄膜16をキャパシタ絶縁膜として用いる。【効果】構造の簡単で微細なメモリセルで十分な蓄積電荷量を確保することが出来、かつ、half VDD plate方式を採用することが可能な、高信頼性のDRAMメモリセルを実現できる。

請求項（抜粋）：

一つのスイッチ用トランジスタと、一つの電荷蓄積容量を有するメモリセルを含む半導体記憶装置であって、該電荷蓄積容量の絶縁膜にジルコン酸バリウムとチタン酸鉛の固溶体(x(BaZrO3)・1-x(PbTiO3))の薄膜を用いたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-080562
  
• 特開平3-019373