特許
J-GLOBAL ID：200903052998509160
太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-239763
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079858
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】カルコパイライト結晶構造を有する半導体を用いた太陽電池において、特性と密着性が高い太陽電池、およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板11上に、導電層12a、12bと、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層からなる光吸収層13を備えている太陽電池10であって、前記導電層が少なくとも2層からなり、第1の導電層12aと第2の導電層12bとの間にIa族元素を含む層19を備えた太陽電池。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、導電層と、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層を備えている太陽電池であって、前記導電層が少なくとも2層からなり、前記導電層間にIa族元素を含む層を設けたことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F051AA10
, 5F051BA14
, 5F051BA15
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051DA07
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051FA17
, 5F051FA25
, 5F051GA02
, 5F051GA05
, 5F051GA06
