特許
J-GLOBAL ID：200903053000069266
p型ZnSe用電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181339
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 p型ZnSeと電極の間のバリアが小さいp型ZnSe用電極を提供することを目的とする。【構成】 p型ZnSe2上にTe薄膜層3を形成し、該Te薄膜層3上にAu層4を形成した後、熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
p型ZnSe上にTe薄膜層を形成し、該Te薄膜層上にAu層を形成した後、熱処理を行うことを特徴とするp型ZnSe用電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
