特許
J-GLOBAL ID：200903053007717808
超電導多層電極、超電導多層電極を用いた高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び超電導多層電極の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-265008
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 超電導材を用いた電極の臨界電流密度を実効的に上昇させて超電導多層電極や超電導多層電極を用いた電子部品の耐電力を増大する。【構成】 超電導多層電極において、超電導薄膜1,2,3,4,5と誘電体薄膜30-1,30-2,30-3,30-4とを所定の膜厚配列の下に交互に積層して、超電導多層電極や超電導多層線路を構成する。また、超電導薄膜と誘電体薄膜の最適膜厚配列を設計する。【効果】 耐電力性を積層数に比例して増大できる。
請求項（抜粋）：
誘電体基板の一方の側に超電導体層を形成し、この超電導体層を最下層の導体層として、超電導体層と誘電体層とを交互に積層することによって、誘電体層を挟設する1対の超電導体層によってそれぞれ構成される少なくとも1つのTEMモード伝送線路が積層されてなり、上記の超電導体層と誘電体層は、各超電導体層を流れる電流密度の最大値が同じになるように設定された膜厚を有することを特徴とする超電導多層電極。
IPC (7件)：
H01P 3/18 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
, H01P 1/20 ZAA
, H01P 1/208 ZAA
, H01P 7/08 ZAA
, H01P 7/10 ZAA
, H01P 11/00 ZAA
H01P 3/18 ZAA
, H01L 39/22 ZAA Z
, H01P 1/20 ZAA A
, H01P 1/208 ZAA A
, H01P 7/08 ZAA
, H01P 7/10 ZAA
, H01P 11/00 ZAA G
