特許

J-GLOBAL ID：200903053007877759

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 鬼頭 雅弘 ,  石野 正人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069121
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257425
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 低閾値電流特性を備えた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 3次元フォトニック結晶構造の前駆体510と光閉じ込め部を含むストライプ509Aが形成された基板とを貼り合わせることによって、3次元フォトニック結晶構造体の中央部に光閉じ込め部が形成された構造体が得られる。

請求項（抜粋）：

第一の方向に沿って周期的に光の屈折率の大きさが変化する第一の屈折率変化層と、前記第一の方向と異なる方向の第二の方向に沿って周期的に光の屈折率の大きさが変化する第二の屈折率変化層とが交互に積層されて、光閉じ込め効果を有する3次元フォトニック結晶構造体が構成されるとともに、当該3次元フォトニック結晶構造体の中央部で、所定の大きさの屈折率を有する部分に、給電によりレーザ光を発生する活性部が挿設されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/20 ,  G02B 6/12

FI (3件)：

H01S 5/20 ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 Z

Fターム (14件)：

2H047KA03 ,  2H047PA00 ,  2H047QA02 ,  2H047RA00 ,  5F073AA53 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073BA06 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA23