特許

J-GLOBAL ID：200903053011893068

スパツタ装置

発明者： 森田 勝己
出願人/特許権者： アプライドマテリアルズジヤパン株式会社
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102036
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 高真空度のチャンバー条件を維持しつつターゲット間隙中のガス密度を高く保つことにより、高いプラズマ密度を得て高いスパッタ効率を得ること。【構成】 真空チャンバー12内に複数のターゲット1を成膜物質の供給源として互いに対向して配置し、隣合う1対のターゲットを電極としてこれに高周波電源を接続すると共に、これによりできる電界に直交して磁界を印加し、更に、ターゲットとターゲットの間に形成される間隙内に放電用ガスを供給する。この時ガスの流れはターゲットに沿って上から下へ流れるため電界、磁界、ガス流がそれぞれ直交するため効率よくイオン化することができる。またターゲット間の間隙がウエーハに向かって開いているため、スパッタされた粒子がウエーハ8に斜めから入射するためステップカバレッジが向上する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内に成膜物質の供給源として互いに対向して配置された少なくとも一対のターゲット、前記ターゲットに電力を供給する高周波電源、前記ターゲット間に形成される間隙内に放電用ガスを供給する手段、前記高周波電源による電界に対して直交する磁界を与える磁界発生手段、及び半導体基板を載置するサセプターとから成ることを特徴とするスパッタ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/35

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-055379
  
• 特開昭57-158380
  
• 特開平1-191776
  
• 特開昭57-076185