特許

J-GLOBAL ID：200903053014205391

洗浄装置及び洗浄方法、並びにエッチング装置及びエッチング方法

発明者： 逢坂 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160799
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354482
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 洗浄工程やエッチング処理の次の工程以降の工程における不良の発生を低減することができる洗浄装置及び洗浄方法、並びにエッチング装置及びエッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハの洗浄機1に、清浄度測定装置2を備えて成る洗浄装置10を構成し、清浄度測定装置2によって洗浄後の半導体ウエーハWの清浄度を測定し、清浄度が基準値より低いときには、再度洗浄機1で半導体ウエーハWの洗浄を行う。半導体ウエーハのエッチング装置から成るエッチング処理部21に、半導体ウエーハの表面に形成された膜の膜厚測定装置22を備えて成るエッチング装置30を構成し、膜厚測定装置22でエッチング処理後の半導体ウエーハW表面の膜の膜厚を測定し、エッチング量が基準値に足りないときには、膜厚に応じてエッチング時間を設定し、再度エッチング処理部21で半導体ウエーハWのエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの洗浄機に、上記半導体ウエーハの清浄度測定装置を備えて成ることを特徴とする洗浄装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/306 U