特許

J-GLOBAL ID：200903053015337550

磁気抵抗素子

発明者： 尾中 和弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335653
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 薄膜磁気抵抗素子において、薄く、機械的強度と表面硬度が大きく、アルカリや塩素の混入がなく、ガラスやセラミックまたニッケル合金との密着性がよく、耐湿性に優れ、更に安価で簡単に成膜できる保護膜を提供することを目的とする。【構成】 基板11表面に形成されたニッケル合金の強磁性薄膜12と、この強磁性薄膜12を保護する保護膜から構成されるものであり、まず基板表面に窒ポリイミド樹脂膜14をコーティングし、その上よりポジ型フォトレジスト膜15を成膜して300°C以上で硬化を行う。

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成されたニッケル合金の強磁性薄膜と、前記強磁性薄膜を保護する保護膜とを備え、前記保護膜はポリイミド樹脂膜とポジ型フォトレジスト膜とからなることを特徴とする磁気抵抗素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-084891
  
• 特開昭56-021335
  
• 特開昭63-067584