特許

J-GLOBAL ID：200903053015355907

ウェーハ支持体

発明者： 藤田 光広 ,  青沼 伸一朗 ,  村松 滋子 ,  佐野 幸司 ,  今泉 幸文 ,  市川 浩行
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126364
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308075
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】耐フッ素プラズマ性に優れ、静電チャックなどに用いられ、半導体デバイスの製造工程に適するウェーハ支持体を提供し、また、吸着部材および支持部材の両部材間で研磨特性が異なることがなく、支持面の研磨が均一平坦にできて両部材の境界部に段差が生じず、加工精度を高めることができ、さらに、吸着力が強く、真空チャックなどに用いられ、半導体デバイスの製造工程等に適しウェーハを変形、汚損しないウェーハ支持体および真空チャックを提供する。【解決手段】基材のウェーハ支持面に500μm以下の範囲で凹凸を形成したウェーハ支持体。また、多孔質セラミックスで形成されウェーハが吸着される基材と、この基材を支持する支持部材とを有し、前記基材の一部にセラミック微粒子を含有して通気抵抗が増した隔壁部を一体的に形成した真空チャック。

請求項（抜粋）：

基材のウェーハ支持面に高さ500μm以下の範囲で凹凸を形成したことを特徴とするウェーハ支持体。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  B23Q 3/08 ,  B23Q 3/15

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/68 P ,  B23Q 3/08 A ,  B23Q 3/15 D ,  H01L 21/302 B

Fターム (27件)：

3C016AA01 ,  3C016BA03 ,  3C016CE05 ,  3C016DA05 ,  3C016GA10 ,  5F004AA16 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA07 ,  5F031HA08 ,  5F031HA10 ,  5F031HA17 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F031MA30 ,  5F031MA32 ,  5F031MA33 ,  5F045EB03 ,  5F045EK09 ,  5F045EM02 ,  5F045EM04 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09