特許
J-GLOBAL ID：200903053020129958
光電変換素子の製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226260
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 優れた変換効率と信頼性の光電変換素子(例えば太陽電池等)を低コストで提供する。【構成】 基板1は、基板搬入室9から順次裏面電極形成室10、光電変換膜製膜室2、表面電極形成室12、基板搬出室14と搬送されていく。裏面電極形成室10では、例えばTiO2インゴットを用いて1000Åの製膜が行なわれる。光電変換膜製膜室2では、前記裏面電極が形成された基板表面に、N型、P型のシリコンの光電変換膜が高温プラズマトーチ4を用いて製膜されるが、この製膜時には、膜の温度は1000°Cと一定になるように制御される。この様に、高温プラズマによって光電変換膜の製膜(もしくはアニール)を行うことにより、優れた変換効率と信頼性の光電変換素子を得る。
請求項（抜粋）：
高温プラズマ中に光電変換膜の原料を投入し、溶融、もしくは分解してなる生成物を、前記高温プラズマ、もしくは前記高温プラズマとは別の高温プラズマによって加熱された基板上に堆積して光電変換膜を製膜することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
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