特許

J-GLOBAL ID：200903053021307140

化学増幅レジストを用いたパターン形成方法および化学増幅レジストの処理装置

発明者： 東 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152796
公開番号（公開出願番号）：特開平11-119440
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 空気中の汚染物質の影響による化学増幅レジストの異常プロファイルの改善を良好に制御できる方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に化学増幅レジストを塗布してポスト・アプライ・ベークし、露光した後、レジストをPGMEAなどの有機溶剤の蒸気で処理する。有機溶剤の蒸気で処理することにより、ポスト・エクスポージャー・ベークでのレジスト中の酸の拡散が制御され、現像により良好なプロファイルを有するレジストパターンが得られる。

請求項（抜粋）：

被処理物上に化学増幅レジストを塗布し、ポスト・アプライ・ベークする工程と、レジストを露光する工程と、レジストを有機溶剤の蒸気で処理する工程と、レジストをポスト・エクスポージャー・ベークする工程と、レジストを現像してレジストパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする化学増幅レジストを用いたパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 568