特許

J-GLOBAL ID：200903053028671301

半導体素子の金属配線構造およびその形成方法

発明者： 黄 成 輔
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 斎藤 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326368
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明はCVDタングステンを用いた半導体素子の金属配線およびその形成方法に関する。【解決手段】 伝導層と電気的に連結させるための金属配線形成方法は、前記伝導層と、その上部に形成され前記伝導層と金属配線とをコンタクさせるための開口部を備えた絶縁膜を含む半導体基板を提供する工程と;開口部と絶縁膜上にチタニウム酸化膜を備えた多層の拡散バリアを形成する工程と;拡散バリア上にCVDタングステン膜を形成して金属配線を形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

伝導層と電気的に連結させるための金属配線を形成する方法として、前記伝導層と、その上部に形成され前記伝導層と金属配線とをコンタクさせるための開口部を備えた絶縁膜を含む半導体基板を提供する工程と;前記開口部と絶縁膜にチタニウム酸化膜を備えた多層の拡散バリアを形成する工程と;拡散バリア上にタングステン膜を形成して金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-246260
  
• 特開平2-094558
  
• 特開平4-271144
  
• 特開平4-284668