特許
J-GLOBAL ID：200903053029144275
超伝導高周波回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191835
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037514
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 超伝導臨界温度近傍での高周波回路応答特性を改善し、動作温度を高温に設定でき、臨界温度近傍の高温においても特性が安定化し、入力電力強度の変化に対する安定性が向上した超伝導高周波回路装置の提供。【構成】 MgO基板10の一方の面に、Bi-Sr-Ca-Cu-O超伝導薄膜を500nm蒸着後、金を800nm蒸着しエッチングを行い超伝導伝送線路11と導電性薄膜12とからなるストリップ線路を形成し、ストリップ線路と基板を介した面に、Bi-Sr-Ca-Cu-O超伝導接地電極13を500nm蒸着後、導電性薄膜14として金を800nm蒸着し超伝導薄膜と導電性薄膜との積層構造とする。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成された高周波伝送線路からなる高周波回路装置において、前記高周波伝送線路が超伝導薄膜と導電性薄膜との積層構造であることを特徴とする超伝導高周波回路装置。
IPC (3件)：
H01P 3/08 ZAA
, H01L 39/06 ZAA
, H01P 3/02 ZAA
