特許

J-GLOBAL ID：200903053030759283

半導体集積回路装置

発明者： 小山内 潤
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277718
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 高分解能であるライン型もしくはエリア型イメージセンサー集積回路装置を提供することを目的とする。【解決手段】 SOI基板を用いた半導体集積回路装置において、選択的にSOI領域を形成して、信号処理回路はSOI領域中に形成し、フォトダイオードはバルク領域中に形成し、かつフォトダイオードは側壁ならびに底部に拡散層を設けたトレンチ構造にして、その内部は絶縁膜ないしは絶縁膜と電位を与えられる多結晶シリコンから構成することにより、ゼルサイズは小さいながらもS/N比が十分にあるフォトダイオード構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に形成した埋込絶縁層によって、素子の形成される主面部分を絶縁分離したSOI型半導体集積回路装置において、前記半導体基板に埋込絶縁層を形成しない領域を設け、この領域にダイオード型フォトセンサーを形成することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/12 L ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/10 A

Fターム (23件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA17 ,  4M118CA33 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA46 ,  4M118FA50 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB03 ,  5F049PA09 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049QA20 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-340275
  
• 特開平1-123468