特許
J-GLOBAL ID:200903053031199281

多層配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-103734
公開番号(公開出願番号):特開平8-298381
出願日: 1995年04月27日
公開日(公表日): 1996年11月12日
要約:
【要約】【目的】ガラスセラミック基板を用いたICチップ実装用の多層配線基板のビアホール導体と入出力ピンとの接合強度を高め、信頼性を向上させる。【構成】ガラスセラミック基板1の表面からの距離が700μmを越える内部配線層2と入出力ピン6との接続を、基板表面から40〜700μmの間に設けた中間配線層3と入出力ピンとの間を接続する第1のビアホール導体4と、中間配線層3と内部配線層2との間を接続する第2のビアホール導体5とで階段状に接続することにより、ビアホール導体とガラスセラミック基板との熱膨張率の違いにより発生する薄膜パッド7の剥れ等の不良を防止する。
請求項(抜粋):
表面にパターニングして形成した内部配線層を有するガラスセラミックシートを積層して形成したガラスセラミック基板と、前記ガラスセラミック基板に形成したビアホールに埋込んで前記内部配線層に接続するビアホール導体と、前記ビアホール導体に接続して前記ガラスセラミック基板上に設けた入出力ピンとを有する多層配線基板において、前記ガラスセラミック基板の表面からの距離が700μmを超える前記内部配線層に接続するビアホール導体が前記ガラスセラミック基板の表面から40乃至700μmの間に設けた中間配線層と前記入出力ピンとの間を接続する第1のビアホール導体および前記第1のビアホール導体の接続部以外の前記中間配線層と前記配線層との間を接続する第2のビアホール導体からなることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 21/768
FI (5件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S ,  H01L 21/90 A

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