特許

J-GLOBAL ID：200903053032145789

光磁気メモリの製造方法、およびその方法により製造された光磁気メモリ

発明者： 石井 紀彦 ,  玉城 孝彦
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266429
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 非晶質ガーネット組成の材料をポリカーボネイトなど高分子材料の基板上に成膜後、赤外線イメージ炉などでアニールすると高分子材料の熱歪のため基板が反ったり、融点以上のアニールでは溶融してしまうという問題があった。【解決手段】 ガラスまたは高分子材料からなる基板5上に成膜された非晶質ガーネット組成膜4に対し、連続発振のレーザー1を用いてアニールすることによりそのアニールした領域3の非晶質ガーネット組成膜を結晶化するようにした。

請求項（抜粋）：

ガラスまたは高分子材料からなる基板上に成膜された非晶質ガーネット組成膜に対し、連続発振のレーザーを用いてアニールすることにより該アニールした領域の前記非晶質ガーネット組成膜を結晶化するようにしたことを特徴とする光磁気メモリの製造方法。

IPC (3件)：

G11B 11/105 546 ,  G11B 11/105 506 ,  H01F 41/14

FI (3件)：

G11B 11/105 546 C ,  G11B 11/105 506 D ,  H01F 41/14

Fターム (12件)：

5D075EE03 ,  5D075FF08 ,  5D075GG16 ,  5D075GG20 ,  5E049AB06 ,  5E049AB09 ,  5E049AC01 ,  5E049BA23 ,  5E049EB06 ,  5E049FC10 ,  5E049GC01 ,  5E049HC01