特許

J-GLOBAL ID：200903053034740595

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 久一 俊雄 ,  桝井 積 ,  飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  木村 雅規 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294780
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】 極めて簡単な手段でエッチピットの発生を効果的に抑制することのできるSi単結晶製造方法を提供することを目的とする。【構成】 CZ法によるシリコン単結晶の製造工程において、窒素濃度を管理したFZシリコン結晶を原料シリコンに添加して単結晶引き上げを行うか、多結晶シリコンの溶融工程を窒素雰囲気中で行うことにより原料シリコンに窒素を添加するか、表面に窒化珪素膜を形成したウエーハを原料シリコンに混入することにより原料シリコンに窒素を添加する。

請求項（抜粋）：

CZ法によるシリコン単結晶の製造工程において、窒素濃度を管理したFZシリコン結晶を原料シリコンに添加して単結晶引き上げを行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-017495
  
• 特開昭57-017497
  
• 特開昭60-251190