特許

J-GLOBAL ID：200903053040657420

薄膜エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 寺尾 豊
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064292
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282980
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】破損しにくく、かつ安価に製作できる薄膜エレクトロルミネッセンス素子を得る。【構成】基板として可撓性を有する耐熱性フィルム基板1を用い、この基板上に、ITOからなる透明電極2、SiO2とSi3N4 の複合膜からなる第1絶縁層3、Mnを添加したZnS からなる発光層4、SiO2とSi3N4 の複合膜からなる第2絶縁層5、アルミニウム膜からなる金属電極6、さらにSiO2膜からなる保護膜7を、順次、形成させて薄膜エレクトロルミネッセンス素子を構成する。発光層4は、基板加熱温度 250°C以下で、MOCVD法で成膜して形成する。

請求項（抜粋）：

耐熱性フィルムからなる基板上に、有機金属気相成長法(MOCVD法)により、発光層を形成したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (4件)：

H05B 33/22 ,  C23C 16/18 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10