特許
J-GLOBAL ID：200903053044415633
半導体ウエーハ及び同様の装置を処理するための装置及び半導体ウエーハ及び同様の装置を処理するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365077
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251420
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 ウエーハの処理中ウエーハの裏側の摩滅や引っ掻き傷が過度な量になるのを実質的に回避すること。【解決手段】 ウエーハが静電チャック上で後続処理される場合に、ウエーハのそりを決定する。静電チャックは、ウエーハをクランプ力によって、クランプ面にクランプする。制御装置は、ウエーハの固有のそりを検出し、測定されたそりから、静電チャックに印加すべき最小クランプ電圧を決定する。この電圧は、クランプ面にウエーハを確実にクランプし、且つ、ウエーハの過度のそり及び裏側の摩滅を回避するような、各ウエーハ用の値である。測定されたそりを使用して、最小クランプ電圧のデータ及び各ウエーハを後続処理する際に使用するための関連のウエーハ識別部を決定し、且つ、記憶する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハ及び同様の装置を処理するための装置において、静電チャックと制御装置とを有しており、前記静電チャックは、当該静電チャックに印加されたクランプ電圧に依存するウエーハ上のクランプ力によってウエーハを当該静電チャックにクランプするためのクランプ面を有しており、前記制御装置は、前記ウエーハの固有のそりを測定するように構成されており、前記測定された固有のウエーハのそりを使用して、クランプ面上にマウントされた前記ウエーハの処理中、前記静電チャックに印加されるべき最小クランプ電圧を決定し、それにより、前記ウエーハの過度なそりと裏側の摩滅を回避して、前記ウエーハを前記クランプ面に確実にクランプするように構成されていることを特徴とする装置。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B25J 15/06
, B65G 49/07
H01L 21/68 R
, B25J 15/06 S
, B65G 49/07 E
