特許
J-GLOBAL ID：200903053047326062
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074167
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 ゲート酸化膜中に存在する水素量を最適な値にすることで、半導体基板表面に存在するダングリングボンドを完全に終端させると共に、過剰な水素が存在することを防止し、優れた電気特性を備え且つホットキャリア寿命が向上した半導体装置を製造する方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に、所望の素子を形成した後、保護膜としてシリコン窒化膜21を形成する前に、雰囲気ガスとして、水素と窒素からなり且つ水素を5体積%以上、20体積%以下の範囲で含む混合ガスを用い、350°C以上、450°C以下の温度で、10分以上、130分以下の熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
保護膜の最上層がシリコン窒化膜からなる半導体装置の製造方法において、前記シリコン窒化膜を形成する前に、雰囲気ガスとして、水素と窒素からなり且つ当該水素を5体積%以上、20体積%以下の範囲で含む混合ガスを用い、350°C以上、450°C以下の温度で、10分以上、130分以下の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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