特許
J-GLOBAL ID：200903053056019547
シリコン酸化膜の形成方法及びシリコン酸化膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353362
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186248
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】シリコン層にドライ酸化膜が形成されることを低減することができ、しかも、特性の優れたシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、(A)燃焼室30、(B)処理室10、(C)配管系31,36、(D)ガス流切替手段34,35、(E)冷却手段37を備えたシリコン酸化膜形成装置を用い、少なくとも、燃焼室30への酸素ガスの供給開始後、燃焼室30への水素ガスの供給により水蒸気が燃焼室30内で生成するまでの間、燃焼室30を系外との連通状態として燃焼室30内のガスを配管系31,36を介して系外に排気し、次いで、燃焼室30を処理室10との連通状態として燃焼室30にて生成した水蒸気を配管系31を介して処理室10内に導入し、シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
(A)酸素ガスによる水素ガスの燃焼によって水蒸気を生成させるための燃焼室、(B)燃焼室にて生成した水蒸気によってシリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する処理室、(C)処理室と燃焼室とを接続する配管、及び、燃焼室若しくは配管から系外に延びる排気用配管から構成された配管系、(D)配管系に配設され、配管系を介して燃焼室を処理室との連通状態あるいは系外との連通状態に切り替えるためのガス流切替手段、(E)配管系、ガス流切替手段、又は、配管系及びガス流切替手段を冷却するための冷却手段、を備えていることを特徴とするシリコン酸化膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
