フルーカラーOLEDディスプレイエレメントの画素構造およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085367
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299055
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】フルカラーOLEDディスプレイエレメントの画素構造及びその製造プロセスを提供する。【解決手段】本発明が提供する当フルカラーOLEDディスプレイエレメントの画素構造には、ブラックマトリックス(black matrix)1個、色彩転換媒体(color changing medium, CCM)エリア1個、薄膜トランジスタ2個、ストレージキャパシター1個、基板上に接続するOLEDエレメント構造1個を含む。本発明が提供するフルカラーOLEDディスプレイエレメント画素構造の製造プロセスには、手順:(a)ブラックマトリックス製造プロセス、(b)ポリシリコンアイランド形成プロセス、(c)ゲート形成プロセス、(d)中間層(interlayer)形成プロセス、(e)CCMプロセス、及び(f)OLEDのインプラント (OLED deposition)プロセスを含む。

請求項（抜粋）：

下記の1.絶縁基板のトップ表面にインプラントされ、限定されるブラックマトリックスと、2.ブラックマトリックス上部にインプラントされ、且つこの中に第一薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極エリア、第二薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極エリアを限定する緩衝層と、3.当緩衝層の上部にインプラントされ、レーザー結晶方式及びエッチング方式を用いて限定され、形成されたポリシリコンアイランドと、4.ポリシリコンアイランドの上部にインプラントされ、その中に第一及び第二薄膜トランジスタのゲート電極を限定するゲート層と、5.ストレージキャパシターと、6.当ゲート層上部と当ポリシリコンアイランドの上部にインプラントし、その上でソース電極とドレイン電極をインプラントしソース電極とドレイン電極のメタルエリアを限定する中間層と、7.当中間層の上部にインプラントし、その中に色彩転換媒体エリアを限定する隔離層と、8.当隔離層の上部にインプラントされる透明導電材質層と、9.当透明導電材質層の上部と当隔離層の上部にインプラントされるOLEDエレメントと、10.当OLED材質エレメント上部にインプラントされる陰極メタル層とを有し、トップ層表面とボトム層表面を有する一つの絶縁基板のトップ層表面に接続及び製作されるフルカラーOLEDディスプレイエレメントの画素構造体。

IPC (8件)：

H05B 33/12 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 , G09F 9/30 , G09F 9/30 365 , H05B 33/10 , H05B 33/14 , H05B 33/22

FI (8件)：

H05B 33/12 E , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 B , G09F 9/30 349 C , G09F 9/30 365 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H05B 33/22 Z

Fターム (38件)：

3K007AB03 , 3K007AB04 , 3K007AB17 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB06 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007CB04 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007GA04 , 5C094AA07 , 5C094AA08 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA12 , 5C094BA27 , 5C094BA32 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10

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