特許

J-GLOBAL ID：200903053063004130

ドライエッチング方法

発明者： 田原 賢治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008438
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209124
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 層間酸化膜の下に形成された窒化チタン膜をエッチングすることなく、異方性形状に優れたスルーホールを得る。【解決手段】 まず第1段階では、1:1の比のC4F8/O2混合ガスを用い、圧力1mTorr、RF基板バイアスパワー700W、マイクロ波パワー1500Wを印加し、エレクトロン共鳴によるプラズマを発生させ、約80%の膜厚の層間酸化膜3をエッチングしてスルーホール51を形成する。次に第2段階では、4:3の比のC4F8/O2混合ガスを用い、圧力1mTorr、RF基板バイアスパワー700W、マイクロ波パワー1500Wを印加し、プラズマを発生させ、残り約20%の膜厚の層間酸化膜3をエッチングしてスルーホール52を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化チタン膜上にシリコン酸化膜が堆積されている半導体装置において、(a)C4F8とO2との混合ガスを用いて、前記シリコン酸化膜を前記窒化チタン膜が露出しない範囲内に残置して選択的にエッチングする工程と、(b)前記工程(a)で用いた前記混合ガスよりもC4F8のガス比が高いC4F8とO2との混合ガスを用いて、残置された前記シリコン酸化膜をエッチングする工程とを備えるドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/90 A