特許

J-GLOBAL ID：200903053064541147

磁気抵抗型センサ、その製造方法、その界面特性最適化方法、及びその磁気抵抗応答最適化方法

発明者： ダニエル・エイ・ネぺラ
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246234
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177705
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【解決手段】 記憶装置に使用されるスピンバルブセンサ又はGMRセンサなどの磁気抵抗型センサ10、20の界面特性を最大限にする方法は、強磁性層16、17の材料と、強磁性層間に挟まれる導電スペーサ12、22の材料とを選択する過程からなる。選択した材料の電気陰性度を、その電気陰性度の差の絶対値が最小となるように実質的に整合させる。【効果】 このような導電スペーサ材料により、比較的低い抵抗率及び大きな平均自由行程が得られる。センサの化学的安定性及び熱的安定性が増し、耐食性が得られ、かつ信号出力の増大を実現できる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2強磁性層間に導電スペーサを挟んで形成される磁気抵抗型センサを製造する方法であって、前記第1強磁性層のための第1電気陰性度を有する第1材料を選択する過程と、前記導電スペーサのための第2電気陰性度を有する第2材料を選択する過程と、前記第2強磁性層のための第3電気陰性度を有する第3材料を選択する過程とからなり、前記第1電気陰性度と第2電気陰性度との差の絶対値を最小にすることを特徴とする磁気抵抗型センサの製造方法。