特許

J-GLOBAL ID：200903053078008484

半導体基板の洗浄方法

発明者： 吉田 寛史 ,  田中 一成 ,  堺谷 ひさし ,  石内 征夫
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217558
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064001
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【構成】 アルカリ性過酸化水素洗浄液による半導体基板の洗浄方法において、吸着樹脂を通した含有する全有機炭素が10ppm以下である過酸化水素を用い、アルカリ濃度0.1〜5重量%のアルカリ洗浄液を用いることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。【効果】 洗浄液中の疏水性有機不純物の低減により、清浄な半導体基板が得られデバイス等の性能および歩留りの向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

アルカリ性過酸化水素洗浄液による半導体基板の洗浄方法において、吸着樹脂を通した含有する全有機炭素が10ppm以下である過酸化水素を用い、アルカリ濃度0.1〜5重量%のアルカリ洗浄液を用いることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  C01B 15/01

FI (2件)：

H01L 21/304 341 L ,  C01B 15/01