特許

J-GLOBAL ID：200903053078691192

光電変換素子用基材およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法

発明者： 臼井 弘紀 ,  田辺 信夫 ,  江連 哲也
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109902
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319661
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】膜の積層方向に流れる電流の導電性を改善するために、酸化チタンを備えたナノチューブの長手方向を揃えることにより、優れた導電性を有する光電変換素子用基材およびその製造方法、ならびに光電変換素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】基板の被成膜面上に、酸化チタン膜で外表面が被覆され、多孔質層をなすチューブ状のカーボンを設けてなり、前記チューブ状のカーボンはその長手方向が前記基板の前記被成膜面に対して略垂直に配向していることを特徴とする光電変換素子用基材。該光電変換素子用基材の製造方法、ならびに該光電変換素子用基材を用いた光電変換素子、およびその製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の被成膜面上に、酸化チタン膜で外表面が被覆され、多孔質層をなすチューブ状のカーボンを設けてなり、前記チューブ状のカーボンはその長手方向が前記基板の前記被成膜面に対して略垂直に配向していることを特徴とする光電変換素子用基材。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  H01M14/00

FI (2件)：

H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P

Fターム (14件)：

5F051AA14 ,  5F051CB11 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16