特許
J-GLOBAL ID：200903053081735400
セラミック多層基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-155851
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023170
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明はセラミック多層基板及びその製造方法に関し、低融点で低抵抗の導電材料を含浸させた高融点導電材料のビアに孔を残存させないことを目的とする。【構成】 セラミック多層基板25は、セラミック層21と、このセラミック層21の厚さ方向に貫通するビア26と、を有し、ビア26を、高融点導電材料となるWに、このWより低い融点で、該Wより低い電気抵抗である低融点低抵抗材料となるCuを含浸し、ビア26に、セラミック層21の面方向に向かって所定の厚さを保持して突出する突出部26aを設けて構成する。
請求項（抜粋）：
セラミック層と、このセラミック層の厚さ方向に貫通するビアとを有するセラミック多層基板において、上記ビアを、高融点導電材料に、この高融点導電材料より低い融点で、該高融点導電材料より低い電気抵抗である低融点低抵抗材料を含浸して構成し、上記ビアに、上記セラミック層の面方向に所定の厚さを保持して突出する突出部を設ける構成としたことを特徴とするセラミック多層基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 1/11
, H05K 3/40
