特許

J-GLOBAL ID：200903053090247370

バンプ検査装置

発明者： 布施 貴史 ,  塚原 博之 ,  大嶋 美隆 ,  安藤 護俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-317407
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明はLSIのバンプ高さを検査するバンプ検査装置に関し、アンプのゲインを切り換えることなく、高速で適正にバンプの高さを計測することができることを目的とする。【構成】 基材部での反射光の強度を適正とすべく光強度W1 を設定した波長λ1 のレーザ光と、バンプ頂点での反射光の強度を適正とすべく光強度W2 を設定した波長λ2 のレーザ光をハーフミラー20で合成し、試料22の同じ位置に照射する。PSD27,28は、ハーフミラー24、波長選択フィルタ25,26で分離された、夫々、波長λ1 ,λ2 のレーザ光を受光し、光検出信号を出力する。適正出力弁別回路31は光検出信号を増幅した2つの反射光検出信号のうち、入射光の強度が適正レンジ内であるPSD27又は28からの反射光検出信号を選択する。選択した反射光検出信号を基に、バンプ高さを算出する。

請求項（抜粋）：

バンプが形成された試料(22)に光を照射して、反射光の結像位置を検出してバンプの高さを検査するバンプ検査装置において、互いに特性の異なる複数の光源(16,17)からの出射光を合成し、上記試料(22)の同一位置に入射させる光照射手段と、上記光照射手段からの光が上記試料(22)で反射された反射光を上記特性に基づいて分離し、上記分離された反射光の夫々を複数の反射光検出手段(27、38,28、39)により検出する受光手段と、上記複数の反射光検出手段(27、38,28、39)による検出信号のうち、検出信号のレベルが適正範囲内である検出信号をバンプ高さ計測用の信号として選択する選択手段(31)とを有する構成としたことを特徴とするバンプ検査装置。

IPC (2件)：

G01B 11/02 ,  H01L 21/66