特許

J-GLOBAL ID：200903053093179260

配線層に対する平坦化パターンの発生方法

発明者： 橘川 淳一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063898
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267460
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明はLSIチップ内の配線層について多層化するとき平坦化パターンを簡易に発生する方法に関し、樹脂塗布を行わず、それ以前の処理としてCAD技術により平坦化パターンを求める方法を提供することを目的とする。【構成】 配線の多層化処理を行って半導体集積回路を高集積化するため、下層配線層に対する平坦化パターンを発生する方法において、配線層平面図をCAD装置により、 (イ) 配線近傍の平面パターンを図形的に反転する処理と、(ロ)(イ)の出力図形を内側に縮める処理、 (ハ) 単純パターンの繰り返し模様と(ロ) の出力図形とを論理積演算する処理、 (ニ) (ハ) の出力に対し原配線パターン図形とを論理和演算する処理の順序で処理することで構成する。

請求項（抜粋）：

配線の多層化処理を行って半導体集積回路を高集積化するため、下層配線層に対する平坦化パターンを発生する方法において、配線層平面図をCAD装置により下記の順序で処理すること(イ) 配線近傍の平面パターンを図形的に反転する処理(ロ) (イ) の出力図形を内側に縮める処理(ハ) 単純パターンの繰り返し模様と (ロ) の出力図形とを論理積演算する処理(ニ) (ハ) の出力に対し原配線パターン図形と論理和演算する処理を特徴とする配線層に対する平坦化パターンの発生方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  G06F 15/60 370 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 K