不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-501478
公開番号（公開出願番号）：特表平10-511814
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】本発明は、マルチステートメモリセル内の可変抵抗エレメントに大量の電流を送るのに使用する、垂直に配置されたダイオードを提供する。垂直ダイオードは、丈の高い酸化物スタックの上部から単結晶シリコンの深いトレンチ内へ下方向に延びるダイオードコンテナ(20)内に配置される。ダイオードは、ダイオードコンテナ内に垂直に配置される単結晶及び/又は多結晶シリコン層(22、24)の組み合わせから形成される。メモリエレメントはダイオードの上に形成されてメモリセルが完成する。ダイオードの垂直構成は、プログラミングに必要とされるような、メモリエレメントを介する非常に大量の電流の流れを生成することができる大きなダイオード表面領域を提供する。このようにして、非常に効率的なダイオードを生成し、このような大きなダイオードに通常関連する基板表面空間を必要とせずに大きな電流を送ることができる。

請求項（抜粋）：

第1ノード及び第2ノードを有するカルコゲニドベースのメモリセルであって、シリコン基体を含み、前記シリコン基体の上に配置される酸化物層を含み、前記酸化物層の上部表面から前記シリコン基体に形成されるトレンチ内へ延びるダイオードコンテナを含み、前記第1ノードは前記コンテナの周縁と電気的に通じるように配置されており、前記コンテナの中に配置されるダイオードを含み、前記ダイオードと前記メモリセルの前記第2ノードとの間で電気的に結合されるカルコゲニドメモリエレメントを含む、メモリセル。

引用特許：

審査官引用 (1件)

電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

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