特許
J-GLOBAL ID:200903053097721094
レーザ加工方法及びレーザ加工装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-270817
公開番号(公開出願番号):特開2007-075886
出願日: 2005年09月16日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】 改質領域を切断の起点として加工対象物を切断した際の切断面の平坦度を向上させることができるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 このレーザ加工方法では、集光点Pにおけるレーザ光Lの断面形状を、切断予定ライン5に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン5に平行な方向の最大長さより短い形状とする。そのため、シリコンウェハ11の内部に形成される改質領域7の形状は、レーザ光Lの入射方向から見ると、切断予定ライン5に垂直な方向の最大長さが切断予定ライン5に平行な方向の最大長さより短い形状となる。このような形状を有する改質領域7が加工対象物1の内部に形成されると、改質領域7を切断の起点として加工対象物1を切断した際に、切断面にツイストハックルが現れるのを抑制することができ、切断面の平坦度を向上させることが可能になる。【選択図】 図17
請求項(抜粋):
加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記切断予定ラインに垂直な方向の最大長さが前記切断予定ラインに平行な方向の最大長さより短い断面形状を集光点で有する所定のレーザ光を照射することにより、所定の改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (3件):
B23K 26/40
, B23K 26/00
, B28D 5/00
FI (3件):
B23K26/40
, B23K26/00 D
, B28D5/00 Z
Fターム (9件):
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069BB03
, 3C069CA05
, 3C069EA02
, 4E068AD00
, 4E068AE00
, 4E068CA11
, 4E068DA10
引用特許:
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