特許

J-GLOBAL ID：200903053101243453

低EMIパッケージ回路及び装置

発明者： 秋庭 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341288
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181263
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 LSI素子などのスイッチング時に発生する直流バイアスの変動による不要輻射を効果的に抑制することができるようにする。【解決手段】 セラミック基板2上に導体膜5と導体膜6とで抵抗体膜7を挾んで抵抗を形成し、導体膜5と誘電体膜8と導体膜9とで第2のバイパスコンデンサをなす。導体膜6はLSIチップ1のグランド電極3に、導体膜9は電源電極4に夫々接続され、抵抗と第2のバイパスコンデンサとは直列回路をなす。第2のバイパスコンデンサのインピーダンスが抵抗の抵抗値よりも充分小さい。導体膜9と誘電体膜10と導体膜11とで第1のバイパスコンデンサをなし、導体膜11がグランド電極3に接続されて第1のバイパスコンデンサは上記直列回路と並列となる。上記抵抗値を小さくして第1のバイパスコンデンサのQ値を小さくし、直流バイアスの変動による交流成分が上記抵抗で熱変換されるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを搭載するパッケージ基板上に形成した低EMIパッケージ回路において、該半導体デバイスの電源パッドとグランドパッドとの間に接続した第1のバイパスコンデンサに、第2のバイパスコンデンサと抵抗との直列回路を並列に接続したことを特徴とする低EMIパッケージ回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 25/00

FI (3件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 25/00 B ,  H01L 27/04 C