特許
J-GLOBAL ID：200903053102309865
半導体装置の配線構造及びその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334241
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172130
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】接続孔とその下に形成された導体層との間のコンタクト抵抗を増加させることなく、確実に金属配線材料で開口部内が埋め込まれた接続孔を有する半導体装置の配線構造及びその形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線構造は、(イ)導体層15が設けられた基体10上に形成された絶縁層20と、(ロ)該導体層15の上方の絶縁層20に形成された開口部21及び該開口部21内に埋め込まれた金属配線材料24から成る接続孔25と、(ハ)該金属配線材料24から成り、該絶縁層20上に形成され、該接続孔25と接続された配線26から成り、開口部21の側壁には、絶縁材料から成るオーバーハング状のサイドウオール22が形成されている。
請求項（抜粋）：
(イ)導体層が設けられた基体上に形成された絶縁層と、(ロ)該導体層の上方の絶縁層に形成された開口部及び該開口部内に埋め込まれた金属配線材料から成る接続孔と、(ハ)該金属配線材料から成り、該絶縁層上に形成され、該接続孔と接続された配線、から成る半導体装置の配線構造であって、開口部の側壁には、絶縁材料から成るオーバーハング状のサイドウオールが形成されていることを特徴とする半導体装置の配線構造。
IPC (2件)：
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