特許
J-GLOBAL ID：200903053108078660
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045908
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】自己整合型コンタクト孔を有し超微細でホットキャリア耐性の高い絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む半導体装置を形成する。【構成】絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極4の上面と側面にエッチストップ膜7が形成された自己整合型コンタクト孔を有し、ゲート電極4の側面に形成されたエッチストップ膜7下の底面シリコン酸化膜6の膜厚がゲート酸化膜3の膜厚より厚くなるように設定される。
請求項（抜粋）：
一導電型のシリコン基板の表面に形成されるシリコン酸化膜をゲート絶縁膜とし前記シリコン基板の表面に形成される逆導電型の拡散層をソース・ドレイン領域とする絶縁ゲート電界効果トランジスタを有し、前記シリコン酸化膜とは異種の材料であり前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の上面および側面のみを被覆する保護絶縁膜が形成され、前記ゲート電極の側面を被覆している前記保護絶縁膜と前記拡散層との間に前記ゲート絶縁膜より厚い膜厚のシリコン酸化膜が形成され、前記拡散層上に設けられるコンタクト孔の側壁が前記保護絶縁膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 G
