特許
J-GLOBAL ID：200903053108339332
半導体加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186837
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037052
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板4上の負のセルフバイアスをプラズマ発生効率とのトレードオフなしに独立して制御することができるとともに、反応室1内への磁場の印加による加工精度の悪化を防止できるプラズマエッチング装置101を得る。【構成】 第2の電極部材11の複数の円柱状開孔11aにそれぞれ第1の電極としての電極棒16aを挿入して、プラズマを発生するための複数の放電領域10aを形成し、上記電極棒16a及び第2の電極部材11に高周波電力を印加して各放電領域10aでプラズマを発生し、該放電領域の下側に配置した半導体基板4に第2の高周波電力を印加してセルフバイアスを発生させるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板を処理するための処理室を有し、該処理室内に半導体材料ガスを導入してプラズマ化し、上記処理室内に配置された半導体基板を上記半導体材料ガスのプラズマにより加工する半導体加工装置において、上記反応室内に半導体基板上に位置するよう配設され、その内部でプラズマ放電を行って上記半導体材料ガスのプラズマを発生するための複数の放電領域と、上記プラズマ放電を発生するための高周波電力を上記放電領域に供給する高周波電源と、上記放電領域内に磁場を発生する磁場発生手段とを備えたことを特徴とする半導体加工装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
