特許
J-GLOBAL ID：200903053108471770

光半導体封止用重合体およびその製造方法、ならびに光半導体封止用組成物

発明者：
吉井 公彦

吉井 公彦 について

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樫下 幸志

樫下 幸志 について

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根本 哲也

根本 哲也 について

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元成 正之

元成 正之 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (2件)： 牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144629
公開番号（公開出願番号）：特開2009-292855
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】はんだリフロー工程等の高温条件下でもパッケージ基材からの剥離等が発生しない硬化体を与える光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること、およびmm単位の膜厚を有する硬化体を形成した場合でも十分な硬化性とクラック耐性とを併せ持つ光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】下記(i)(ii)工程を含む、重量平均分子量が1000〜100000の範囲にある光半導体封止用重合体の製造方法。(i)特定の構造を有するエポキシ基含有アルコキシシラン(A)と、重量平均分子量が1000〜20000の範囲にあるヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン(B)とを塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下反応させる工程、(ii)工程(i)で得られた生成物を塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下、水と反応させる工程。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記(i)(ii)工程を含むことを特徴とする、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が1,000〜100,000の範囲にある光半導体封止用重合体の製造方法。 (i) 下記式(1)
IPC (9件)：
C08G 77/06 ,  C09K 3/10 ,  C08G 77/44 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 77/14 ,  C08L 83/06 ,  C08K 3/36 ,  C08K 3/10
FI (8件)：
C08G77/06 ,  C09K3/10 G ,  C08G77/44 ,  H01L23/30 F ,  C08G77/14 ,  C08L83/06 ,  C08K3/36 ,  C08K3/10
Fターム (57件)：
4H017AA04 ,  4H017AB15 ,  4H017AC05 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  4J002CP031 ,  4J002CP061 ,  4J002DJ017 ,  4J002EZ006 ,  4J002EZ016 ,  4J002EZ036 ,  4J002EZ046 ,  4J002EZ076 ,  4J002FD017 ,  4J002FD036 ,  4J002FD156 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  4J246AA03 ,  4J246BA04X ,  4J246BA14X ,  4J246BB02X ,  4J246BB021 ,  4J246BB022 ,  4J246BB023 ,  4J246CA01U ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA23X ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA68M ,  4J246CA68X ,  4J246EA26 ,  4J246FA061 ,  4J246FA131 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FA461 ,  4J246FE27 ,  4J246GA01 ,  4J246HA29 ,  4M109AA01 ,  4M109CA02 ,  4M109DB09 ,  4M109EA10 ,  4M109EB06 ,  4M109EB13 ,  4M109EB14 ,  4M109EB17 ,  4M109EC01 ,  4M109EC03 ,  4M109EC05 ,  4M109EC11 ,  4M109EC14 ,  4M109GA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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