特許
J-GLOBAL ID：200903053109720900
炭素ナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319783
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】 高密度プラズマを用いて黒鉛や炭素塊りが高度精製された炭素ナノチューブを容易に成長させる炭素ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 炭素ナノチューブは1011cm-3以上の高密度プラズマ化学気相蒸着法を用いて基板11上に成長され、蒸着プラズマを用いて基板11上に所定の厚さを有する炭素ナノチューブ膜を成長させる段階と蝕刻プラズマを用いて前記炭素ナノチューブ膜を精製する段階とを繰返して行い、蝕刻プラズマを用いる段階ではソースガスとしてハロゲン元素を含むガス、具体的にCF4ガスを使用する。
請求項（抜粋）：
1011cm-3以上の高密度プラズマ化学気相蒸着法を用いて基板上に炭素ナノチューブ膜を成長させることを特徴とする炭素ナノチューブの製造方法。
IPC (2件)：
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
