特許

J-GLOBAL ID：200903053118364556

半導体装置の製造方法

発明者： 安村 賢二 ,  執行 和浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312275
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124122
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 エッチング速度の向上およびエッチング均一性の向上を図ることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板11の表面にイオン化させたイオンまたは電子12を照射する。半導体基板11の表面に半導体膜13をエピタキシャル成長させる。半導体膜13をエッチング液によりエッチングする。本発明における半導体装置の製造方法によれば、半導体膜13中に結晶欠陥を発生させ、その領域のエッチング速度を向上させることによって、所定のパターンを制御よくウェットエッチングすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にイオン化させたイオンを照射する工程と、前記照射後、前記半導体基板の表面に半導体膜をエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体膜をエッチング液によりエッチングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306 B

Fターム (11件)：

5F043AA08 ,  5F043BB01 ,  5F043BB06 ,  5F043BB12 ,  5F043DD01 ,  5F043DD17 ,  5F043DD30 ,  5F045AA04 ,  5F045DA67 ,  5F045HA01 ,  5F045HA14