特許
J-GLOBAL ID：200903053122295992
プラズマプロセスの方法及びプラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126308
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335618
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板表面を加工するプラズマプロセス技術において、イオン照射により基板表面に発生する欠陥を最表層のみに止め、該欠陥の基板内部への拡散を防止するプラズマプロセスの方法とその装置を実現する。【構成】 プラズマ室2内で生成されたプラズマ5から、グリッド電極6に電圧を印加してイオン流12を引き出し基板9に照射するプラズマプロセス装置において、グリッド電極を多層6-1、6-2にし、かつ、該電極に設けられた細孔の位置をずらせて、プラズマ光11は阻止するが、イオン流12はグリッド電極6-1、6-2に印加する電圧によりエッチング室7に導き、基板9表面の加工に用いる。
請求項（抜粋）：
プラズマを発生させ、これにより基板を加工するプラズマプロセスの方法において、イオンを含むプラズマ粒子やプラズマ光を発生するプラズマ生成領域から上記加工基板に達する経路中に、プラズマ光を遮断する手段、あるいは、上記基板の加工に用いるイオンの進路と上記プラズマ光の進路とを分離させる手段を設け、プラズマ光の加工基板への入射を抑制しながら、上記イオンにより上記基板を加工することを特徴とするプラズマプロセスの方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
