特許

J-GLOBAL ID：200903053125249266

シリコン基板の製造方法

発明者： 門井 幹夫 ,  秋吉 猛夫 ,  堀口 清一 ,  降屋 久 ,  島貫 康
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074784
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 低酸素濃度のシリコン基板においても十分なIG効果を得ることのできるシリコン基板の製造方法を提供する。【構成】 7.5×1017atoms/cm3以下の格子間酸素を含有している低酸素濃度の単結晶シリコン基板1の裏面に、CVD法(化学気相成長法)により、多結晶シリコン膜2を形成する。次に、1200°C以上で30分間以上熱処理する。さらに、1000°C以下で2時間以上熱処理する。この結果、低酸素濃度の単結晶シリコン基板1にあってもその単結晶シリコン基板1の内部に形成される酸素析出物の核の成長が助長される。すなわち、十分な量のゲッタリング源をシリコン基板3の内部に確保することができるものである。

請求項（抜粋）：

7.5×1017atoms/cm3以下の格子間酸素を含有している単結晶シリコン基板を準備する工程と、この単結晶シリコン基板の裏面に多結晶シリコン膜を形成する工程と、このシリコン基板を1200°C以上で30分間以上熱処理する工程と、このシリコン基板を1000°C以下で2時間以上熱処理する工程と、を有したことを特徴とするシリコン基板の製造方法。