特許

J-GLOBAL ID：200903053137333645

半導体発光素子

発明者： 佐々木 和明 ,  中津 弘志 ,  渡辺 昌規 ,  松本 晃広 ,  竹岡 忠士 ,  近藤 正樹 ,  山本 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190902
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【構成】多重量子障壁構造を有する半導体発光素子であって、その多重量子障壁構造がGaAs基板に格子整合する複数の障壁層及び井戸層と、格子整合しない障壁層、例えば、InAlP、InGaAlP、ZnSe、ZnSSe、及びCdZnSとを含む半導体発光素子。【効果】格子不整合障壁層は格子整合障壁層よりも厚くても、障壁層としての機能を充分に発揮するため、通常のMOCVD法により容易に多重量子障壁構造が形成される。MOCVD法により容易に形成されるので製造工程時間が短縮される。ガスソースMBE法で作成される従来の半導体発光素子に比較して、大量生産に適している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板に対して格子整合する複数の障壁層及び井戸層を含む多重量子障壁構造とを備えた半導体発光素子であって、該多重量子障壁構造が、該半導体基板に対して格子整合していない障壁層を更に含む半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18