パワーMOSFET

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141454
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】外部抵抗分、熱抵抗を抑制したMOSFETを提供する。【解決手段】 MOSFET回路が作り込まれたペレット10のドレイン用電極パッド21はヘッダ41に高融点半田によって接続し、ペレット10のゲート用電極パッド19およびソース用電極パッド20はインナリード36、37に低融点半田の半田バンプからなる接続部25、26によって接続する。ソース用インナリード37には複数の分岐部を設け、各分岐部にそれぞれ形成した複数個の接続部26でソース用電極パッド20に接続する。【効果】ソース電極が複数個のバンプ接続部でインナリードに接続されることで、大電流のソース電極の電気抵抗が小さくなるため、外部抵抗分を効果的に抑制できる。ソース用インナリードの分岐部で熱応力を吸収できるため、各分岐部に配設された複数のバンプからなる接続部をソース電極に適正に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体ペレットの回路要素が作り込まれた側の主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の主面に配置されたドレイン電極と、前記ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極のそれぞれに接続された複数のインナリードとを有するパワーMOSFETにおいて、前記ソース電極に接続されたインナリードが一体成形されているとともに、複数の分岐部を備えており、これら分岐部にはバンプからなる接続部がそれぞれ形成されていることを特徴とするパワーMOSFET。

IPC (3件)：

H01L 23/48 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 23/48 Q , H01L 23/48 L , H01L 23/48 M , H01L 21/28 301 L , H01L 21/88 T

Fターム (42件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD15 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ18 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ37 , 5F033RR14 , 5F033RR22 , 5F033SS11 , 5F033VV06 , 5F033XX08 , 5F033XX22

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-221113 出願人：株式会社日立製作所

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