特許
J-GLOBAL ID：200903053139743344
微細構造形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093454
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310471
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に交互蒸着したAlF3 /SrF2 層をマスクとしてドライエッチングを施することで微細構造を形成する。【構成】 半導体基板上に電子線露光によりレジストパターンを形成する。その上にSrF2 を数nm抵抗加熱蒸着し、孤立したSrF2 グレイン6を形成する。次にその上にAlF3 を数nm蒸着しSrF2 のグレインとグレインの間にAlF3 のグレイン8を形成する。これを繰り返すことで横方向成長の押さえられた微細なグレインサイズを持つフッ化物が形成される。これにリフトオフを施すことで電子線レジストパターンの反転フッ化物パターンが形成される。これをマスクとしてドレイエッチングを施することで下地の半導体層がエッチングされ微細構造10が形成される。
請求項（抜粋）：
電子線を用いたパターン形成において、化合物半導体表面に電子線用有機レジストを形成し電子線露光を行う工程と、そのレジストの上に第一のフッ化物を数nm蒸着し孤立したグレインを形成する工程と、更にその上に第二のフッ化物を数nm蒸着する工程と、前記工程とを繰り返すことでフッ化物層を形成する工程と、そのフッ化物層をリフトオフ法によりパターン形成し、それをマスクとして下地の化合物半導体へエッチングによりパターン転写する工程とを備えることを特徴とする微細構造形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
