冷陰極エミツタ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152640
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】エミッタ部の耐熱性及び耐電圧が高く、使用に伴う電子放射特性の劣化が少なくて、大電力で使用することが可能な冷陰極エミッタ素子を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板1上には、開口部が設けられたSiO2 膜2aが形成されており、このSiO2 膜2a上には引き出し電極4が形成されている。また、前記開口部の基板表面上にはエミッタ3が形成されている。このエミッタ3は、半導体ダイヤモンドにより構成されている。

請求項（抜粋）：